聚酰亞胺（PI）具有耐高溫（400℃），耐低溫（~269℃），耐輻射性和優異的介電性能的特性。聚酰亞胺加熱膜是以聚酰亞胺薄膜為外絕緣體；以金屬箔﹑金屬絲為內導電發熱體，經高溫高壓熱合而成。聚酰亞胺電熱膜已成功地應用在風云系列人造衛星，長征系列運載火箭，東風﹑紅旗等系列導彈，以及飛機，艦船，坦克，火炮的陀螺儀，加速度表，火控雷達等溫控與加熱系統中。pi發熱膜根據重復單元的化學結構，聚酰亞胺可以分為脂肪族、半芳香族和芳香族聚酰亞胺三種。根據鏈間相互作用力，可分為交聯型和非交聯型。它已成為較種基本的絕緣材料，被廣泛用作變頻電機的匝間絕緣。并保溫到地面。

根據介電理論，在外加電場作用下，介質的介電性能和較化過程的發展與外加電場的變化密切相關。納米結構材料介電常數的來源是：大尺度納米固體界面上大量空位和空穴缺陷引起的界面較化；在外加電場作用下改變本征電矩方向所形成的轉向較化；較性電子位移較化；較性離子位移較化。介電較化可分為兩大類：瞬時位移較化和弛豫較化，這取決于建立較化所需的不同時間對介質在交變電場作用下的穩定性。瞬時位移較化包括電子位移和離子位移的較化，較化的穩定時間約為10-16-10-12s，較化時間遠小于測試電場的變化周期，較化建立時間可以忽略，后者包括界面較化和轉向較化，這種較化在交變電場作用下需要很長時間才能達到穩態。同時，由于電子位移較化和離子位移較化很難產生損耗，所以tan較化主要來自界面較化和轉向較化。

聚酰亞胺納米復合加熱膜在10kHz下的ε溫度譜和tanδ溫度譜。在30~80℃的范圍內，溫度θ增加，ε值減小。這是因為θ的增加增加了加熱膜內聚合物鏈的熱運動，這阻礙了聚合物分子的較性端基和側鏈與施加的交變電場的較化，使得ε值逐漸增加減少;在θ80°C時，ε值基本保持不變，因為此時分子鏈的熱運動非常強烈，并且聚合物分子的較性端基和側鏈較化的建立跟不上施加的交變電場的變化。該頻率使得僅瞬時位移較化對ε值的貢獻仍然存在。

隨著θ的增加，分子熱運動的加劇，聚合物鏈末端基團和側鏈的取向較化減弱，tan_uudelta逐漸減小，導致tan_udelta的減小。tan_uudelta在70℃時逐漸增大，在110℃時達到峰值，然后逐漸減小，這與弛豫現象有關。這些特點是較致的。